FanFET 第四代马蹄型（扇形）晶体管架构
当晶体管持续微缩，栅极控制力与电荷存储效率同时逼近物理极限。我们拥有扇形场效晶体管 FanFET 专利技术，以弧形栅极环绕沟道的结构设计，在同等制程节点下扩大有效栅控面积，为高密度存储打开新的微缩空间——现有发明专利 23 项。
全新结构
创新组件与制程专利，重新定义栅极与沟道的空间关系，突破传统平面晶体管的微缩瓶颈。
完全立体
适用同质／异质的堆栈与封装方式，兼容多种存储介质的三维集成路径。
垂直堆栈
通过垂直方向堆叠增加容量密度，在有限的晶圆面积内实现更高的存储位密度。
抑制短沟道效应（SCE）
三维扇形栅极包覆设计使栅极对沟道的控制力显著提升，有效解决先进制程尺寸下的电子漏穿现象，保障单元电路稳定性。
超低漏电与能效突破
马蹄型晶体管结构大幅降低静态待机功耗，特别适合移动终端（LPDDR5）及大规模数据中心（DDR5）的严苛能效要求。
高良率制程融合
优化高深宽比电容穿孔与晶体管制造兼容性，显著提升晶圆级良率（Yield Rate），降低综合生产与测试成本。
存储芯片多元应用场景
从 AI 算力加速到车规级严苛环境，FanFET 架构衍生出的存储芯片产品覆盖数据中心、终端设备与工业场景的核心需求。
AI 算力与大模型加速
在大模型训练与推理中，数据吞吐瓶颈极为突出。DDR5 与 GDDR 芯片提供高速传输能力，大幅降低 AI 加速卡的存储延时。
旗舰移动终端 & 边缘 AI
借助 FanFET 超低功耗特性，LPDDR5/4X 系列在提升智能手机与轻薄本续航的同时，支持端侧 AI 算力的高频数据交互。
智能网联汽车 & 自动驾驶
车载 ADAS 系统与智能座舱对存储器的高温稳定性与耐久度要求极高，定制系列满足车规级严苛环境，保障行车安全。
云游戏与图形渲染
GDDR 存储芯片具备极高的单通道带宽，为游戏主机、图形工作站及 3D 渲染引擎提供流畅无卡顿的高清图像帧处理能力。
工业自动化 & 医疗设备
针对高端工控机、PLC 机器人及医疗影像设备，定制存储器具备宽温运行与高抗干扰能力，确保工业生产 7x24 小时零故障。
企业级云数据中心
高密度 DDR4/DDR5 芯片拥有强劲的 ECC 纠错与可靠性特征，降低数据中心总体拥有成本（TCO）与电力消耗。
芯片产品与核心知识产权授权
技术驱动型硬科技公司，业务沿两条路径展开：自研高密度 DRAM／3D-NAND 芯片，以及将核心架构 IP 授权给产业伙伴。
基于 FanFET 第四代马蹄型（扇形）晶体管架构自主设计、流片、量产，面向服务器、AI 加速与移动终端等场景提供高密度存储解决方案。
- 面向服务器与数据中心的高密度存储模组
- 面向 AI 加速场景的高带宽存储芯片
- 面向移动与终端设备的低功耗存储方案
将 FanFET 马蹄型（扇形）晶体管架构及配套制程工艺 IP 授权给晶圆代工厂与存储厂商，以专利与工艺包形式加速产业落地。
- 架构级 IP 授权，含版图与工艺设计包
- 面向晶圆代工厂的制程适配技术支持
- 面向存储厂商的联合开发与技术转移
专利技术授权（IP Licensing）
向全球半导体晶圆厂及 IC 设计公司提供 FanFET 马蹄型晶体管设计方案及先进制造工艺 IP 许可。
联合技术开发（Co-Development）
与下游行业龙头客户联合针对特定场景（如车规、工业）开发 Special Memory 定制化存储架构。
芯片级交付（Silicon Supply）
提供原厂高良率 18nm DDR4/5、LPDDR4/5、GDDR 存储芯片颗粒及定制化存储模组。
23 项核心发明专利壁垒布局
每一枚点亮的晶粒，对应一项已获授权的核心发明专利。围绕结构设计、制程工艺、电路设计与测试修复四大专利集群系统布局，覆盖从晶体管物理结构、版图设计到测试方法的全链条防护。
FanFET 第四代马蹄型（扇形）晶体管结构设计
涵盖三维扇形沟道物理拓扑、包覆栅极制造工艺及其制造掩模方案。
深电容与深沟道工艺
解决先进制程节点下电容深宽比沉积稳定性、刻蚀选择性及高介电常数（High-k）材料应用。
高频低功耗感测放大与电路设计
重点解决高频读写过程中的信号串扰问题与动态自适应功耗管理。
晶圆级高频测试与修复方案
提供存储单元冗余修复算法及晶圆级高频自动化测试（Wafer-level Test）系统。
全矩阵存储产品线
基于同一 FanFET 架构衍生的四条产品线，覆盖标准存储、低功耗、图形与定制化场景。
| 产品类别 | 规格标准 | 技术专利依托 | 应用场景 |
|---|---|---|---|
| 标准 DRAM | DDR4 / DDR5 | 高频放大电路 / ECC 专利 | AI 服务器数据中心 |
| 低功耗 DRAM | LPDDR4 / LPDDR5 | FanFET 马蹄型晶体管专利 | 旗舰手机边缘 AI |
| 图形存储器 | GDDR 系列 | 高吞吐低串扰专利 | AI 加速卡游戏主机 |
| 定制化存储 | Special Memory | 宽温及高耐久度专利 | 自动驾驶工控医疗 |
关于逻辑创芯半导体
一家以专利驱动的硬科技公司，专注于 FanFET 第四代马蹄型（扇形）晶体管架构的自主研发与产业化。
逻辑创芯半导体拥有扇形场效晶体管 FanFET 专利技术，此 FanFET 具有全新结构（创新组件与制程专利）、完全立体（适用同质／异质的堆栈与封装）和垂直堆栈（增加容量密度）三大特征，可同时制造内存（DRAM）和闪存（3D-NAND）存储芯片。
依托 23 项核心发明专利构筑的技术护城河，我们向全球晶圆厂、IC 设计公司及终端品牌提供芯片产品与 IP 技术授权双轮业务，支持中英文商务沟通，为全球客户提供快速响应服务。
商务合作与知识产权授权中心
欢迎全球芯片设计公司、晶圆制造企业、封测厂、终端品牌及产业合作伙伴与我们建立长期合作。我们提供芯片采购、IP Licensing、联合研发、技术交流及 NDA 保密合作支持。
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DDR4 / DDR5 / LPDDR / GDDR 产品咨询、样品申请及批量采购。
IP Licensing
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